積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M2C0G2A473J200KA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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積層セラミックチップコンデンサ
C4532X7R3A103K200KA
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H103J080AA
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7S2A473K080AB
Capacitance=47nF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5C4C0G2J221G060AA
Capacitance=220pF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A102J200AC
Capacitance=1nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A223G250AC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M1C0G3F221K200KA
Capacitance=220pF
Edc=3000V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M1X7R3A103K200KA
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8R4C0G2J473J320KA
Capacitance=47nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P3X7T2E225K250KA
Capacitance=2.2μF
Edc=250V
T.C.=X7T
LxWxT:5.7x5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
