積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P4X7T2W105K250KE
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P2X8R1E335K250AA
Capacitance=3.3μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X8R1E475K250AB
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8L1X7T2J154K160KC
Capacitance=0.15μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M4NP02J333J200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7R2E334M230KA
Capacitance=0.33μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7R2E474M230KA
Capacitance=0.47μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N4X7T2W474K230KE
Capacitance=0.47μF
Edc=450V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8R4NP02W683J320KA
Capacitance=68nF
Edc=450V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9M3X7T2E155K200KA
Capacitance=1.5μF
Edc=250V
T.C.=X7T
LxWxT:5.7x5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N2NP02A154J230KA
Capacitance=0.15μF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:5.7x5x2.3mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
