積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P4X7T2W105M250KE
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1E155M125AB
Capacitance=1.5μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J4C0G2W472J125AA
Capacitance=4.7nF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J4X7T2W223K125AA
Capacitance=22nF
Edc=450V
T.C.=X7T
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L2X8R1H474M160AA
Capacitance=0.47μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3NP02E223J160AA
Capacitance=22nF
Edc=250V
T.C.=NP0
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8P3X7T2E105M250KA
Capacitance=1μF
Edc=250V
T.C.=X7T
LxWxT:4.5x3.2x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8R4C0G2E104J320KN
Capacitance=0.1μF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x3.2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9L4X7R2J154K160KA
Capacitance=0.15μF
Edc=630V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9M3X7S2A685K200KB
Capacitance=6.8μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:5.7x5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9P1X7T2J474M250KC
Capacitance=0.47μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:5.7x5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
