積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A183G250AE
新製品
|
|
寸法
| 長さ(L) |
|
| 幅(W) |
|
| 厚み(T) |
|
| 端子幅(B) |
|
| 推奨ランドパターン(PA) |
|
| 推奨ランドパターン(PB) |
|
| 推奨ランドパターン(PC) |
|
| 推奨スリットパターン(SD) |
|
電気的特性
| 静電容量 |
|
| 定格電圧 |
|
| 温度特性 |
|
| Q (Min.) |
|
| 絶縁抵抗 (Min.) |
|
| 許容電圧 |
|
| 許容電流 |
|
その他
| 使用温度範囲 |
|
| はんだ付け方法 |
|
| AEC-Q200 |
|
| 包装形態 |
|
| 梱包数 |
|
| FIT (Failure In Time) |
|
製品情報
ドキュメント
おすすめコンテンツ
特性グラフ
グラフをローディング中...
この製品を見た人はこれらの製品も見ています
積層セラミックチップコンデンサ
C5750C0G3A333G280KC
Capacitance=33nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6L4C0G2J153G160AE
Capacitance=15nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N4C0G2J223G230AA
Capacitance=22nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A123G250AC
Capacitance=12nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3B103G250AC
Capacitance=10nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P4C0G2J333G250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P4C0G2J333G250AE
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A103J250AE
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A123G250AE
Capacitance=12nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A123J250AE
Capacitance=12nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
Soft termination
AEC-Q200