積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J1X8L1V225K125AC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608X6S0G226M080AC
Capacitance=22μF
Edc=4V
T.C.=X6S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1608X7S1C225K080AE
Capacitance=2.2μF
Edc=16V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X5R1E475K125AB
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X5R1V475K125AB
Capacitance=4.7μF
Edc=35V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T6170K062
Maximum continuous voltage=24V
Maximum Clamping Voltage (@ 10 A)=47V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T6400K062
Maximum continuous voltage=58V
Maximum Clamping Voltage (@ 10 A)=110V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580U1500K062
Maximum continuous voltage=65V
Maximum Clamping Voltage (@ 10 A)=130V
リード付きディスクバリスタ
B72205S0151K101
Max. Operating Voltage [AC]=150Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=400A
リード付きディスクバリスタ
B72205S0421K101
Max. Operating Voltage [AC]=420Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=400A
リード付きディスクバリスタ
B72205S0461K101
Max. Operating Voltage [AC]=460Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=400A