積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X8R1E475M160AE
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 端子間隔(G) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1E154M080AD
Capacitance=0.15μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1H104M080AB
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R2A333M080AB
Capacitance=33nF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EAC0G2A152J080AC
Capacitance=1.5nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
ESD Protection
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EANP02A332J080AC
Capacitance=3.3nF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
ESD Protection
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4C2C0G1H822J060AA
Capacitance=8.2nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4C4C0G2W681J060AA
Capacitance=680pF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4F2C0G1H153J085AE
Capacitance=15nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4F2C0G2A222J085AA
Capacitance=2.2nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1C335K125AD
Capacitance=3.3μF
Edc=16V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200