積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7R2E474K230KE
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P2X8R1E335K250AA
Capacitance=3.3μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7R1E685M250AB
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7R1H475K250AD
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X8R1E475K250AB
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8K1X7R3D222M130KA
Capacitance=2.2nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M4C0G2J333J200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M4NP02J333J200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7R2E334M230KA
Capacitance=0.33μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7R2E474K230KA
Capacitance=0.47μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7R2E474M230KA
Capacitance=0.47μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
