チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRL101C2R2DTA
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
おすすめコンテンツ
特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CS65ZU2GA102MYVKA
Capacitance=1nF
Edc=400Vac
T.C.=Z5U
DxT: 7x5mm ,F: 7.5mm
Safety Standard approved
Halogen-free

インダクタ(コイル)
NLFV25T-2R2M-EF
L=2.2μH
DC Resistance=0.12Ω
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm

インダクタ(コイル)
NLFV25T-2R2M-PF
L=2.2μH
DC Resistance=0.12Ω
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm

インダクタ(コイル)
SPM10065VT-100M-D
L=10μH
Rated current=8.1A
L x W x T :
10.5 x 10.0 x 6.5mm

チップビーズ
HF30ACB321611-T
|Z|=19Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
3.2mm x 1.6mm x 1.1mm

チップビーズ
HF30ACB321611-TD25
|Z|=19Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
3.2mm x 1.6mm x 1.1mm

パワーライン用コモンモードチョーク/フィルタ
ACM4520V-142-2P-T00
|Z|=1400Ω at 100MHz
Rated current=1.0A
L x W x T :
4.7mm x 4.5mm x 2mm

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C120MTACC
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=21V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M2012C120MT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT4R7FA8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=190V