チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E0300K062
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
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品質と環境
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セレクションガイド
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A223J250AC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
DCリンク用パワーコンデンサ (MKP 円筒形)
B25690A0737K901
1x720uF, 900V DC
85mm(D) x 182mm(H)
インダクタ(コイル)
NLCV25T-100K-PFR
L=10μH
DC Resistance=1.32Ω
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM2012C560KT251M
Maximum continuous voltage [DC]=40V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=113V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500E5170S260
Maximum continuous voltage=22V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=50V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500E5200S160
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=67V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500T0070M060
Maximum continuous voltage=9V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=30V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E0110K062
Maximum continuous voltage=14V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=35V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E0140K062
Maximum continuous voltage=18V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E0200K062
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=56V
