チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72540T0400K062 (Standard)
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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セレクションガイド
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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特性グラフ
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積層型リード付きコンデンサ
FA11X7R1H105KNU00
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
RFIフィルタリング, 平滑, 一般用コンデンサ
B32620A6332J000
0.0033uF, 630V DC
4mm(W) x 8.5mm(H) x 10mm(L)
インダクタ(コイル)
SLF12565T-102MR45-H
L=1000μH
Rated current=0.45A
L x W x T :
12.5 x 12.5 x 6.5mm
インダクタ(コイル)
SPM10040T-3R3M-HZR
L=3.3μH
Rated current=11.1A
L x W x T :
10.7 x 10.0 x 4.0mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520T0400K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=56V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=110V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72540E0300K062
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72540T0400K062 (Surge prot.)
Maximum continuous voltage=56V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=110V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580T0300K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
リード付きディスクバリスタ
B72205S0750K101
Max. Operating Voltage [AC]=75Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=400A
リード付きディスクバリスタ
B72207S0400K101
Max. Operating Voltage [AC]=40Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=250A
