チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72862F1050S160
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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設計関連事項
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保護規格
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信頼性
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ソルダリング手順書
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テーピングと梱包
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材料データシート
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セレクションガイド
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1V106M160AC
Capacitance=10μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
MLZ2012M3R3HTD25
L=3.3μH
Rated current=350mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 1.25mm
インダクタ(コイル)
NLCV25T-150K-EF
L=15μH
DC Resistance=2.86Ω
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
インダクタ(コイル)
NLCV25T-150K-EFD
L=15μH
DC Resistance=2.86Ω
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500P8400S060
Maximum continuous voltage=48V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500T7050S160 (High speed)
Maximum continuous voltage=5.5V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72590E0140L060
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=46V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72590T0140L060
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=46V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72590T7050S160 (High speed)
Maximum continuous voltage=5.5V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72724A8151V062
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=350V
