積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A562J200AC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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| 推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C5750C0G3A103J280KC
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CAA573C0G3A993J640LH
Capacitance=99nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:6.0x8.4x6.4mm
MEGACAP type
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6J4C0G2J103J125AA
Capacitance=10nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A182J200AC
Capacitance=1.8nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A332J200AC
Capacitance=3.3nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A392J200AC
Capacitance=3.9nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A472J200AC
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A562G200AC
Capacitance=5.6nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A562G200AE
Capacitance=5.6nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A562J200AE
Capacitance=5.6nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200