積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N2X7R2A335K230KA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C5750X7R2A335K230KA
Capacitance=3.3μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M2X7R2A105K200AA
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M3X8R2A474K200AD
Capacitance=0.47μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1X7S0J336M250AC
Capacitance=33μF
Edc=6.3V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7R1E685K250AB
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X8R2A684M250AB
Capacitance=0.68μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7K1X7R3D102M130KA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7L1C0G3F330K160KA
Capacitance=33pF
Edc=3000V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x2x1.6mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7M1C0G3F680K200KA
Capacitance=68pF
Edc=3000V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x2x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N2X7R2A225K230KA
Capacitance=2.2μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200