チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580E1140S262
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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設計関連事項
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保護規格
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信頼性
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ソルダリング手順書
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テーピングと梱包
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材料データシート
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セレクションガイド
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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[アプリケーションノート] ESD対策用チップバリスタの最適なアプリケーションについてNew
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J2X7R2A153M125AA
Capacitance=15nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32032A4103M000
0.010uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
SPM10065VT-330M-D
L=33μH
Rated current=4.9A
L x W x T :
10.5 x 10.0 x 6.5mm
チップビーズ
MMZ1608Y221BTD25
|Z|=220Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72540E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580E0250K062
Maximum continuous voltage=31V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=65V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580E0300K062
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580E3140S272
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580V1140S262
