チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580E3140S272
|
|
寸法
| L x W 寸法 |
|
| 厚み | 高さ |
|
| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
|
| 最大許容回路電圧 [DC] |
|
| 最大許容回路電圧 [AC] |
|
| 静電容量 (Typ.) |
|
| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
|
| 最大サージ電流 [8/20μs] |
|
| ESDクランプ電圧 [2kV] |
|
| ESDクランプ電圧 [8kV] |
|
| エネルギー耐量 |
|
その他
| 使用温度範囲 |
|
| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
|
| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
-
一般技術情報
-
安全上の注意
-
品質と環境
-
記号と用語
-
設計関連事項
-
保護規格
-
信頼性
-
ソルダリング手順書
-
テーピングと梱包
-
RoHS とSVHC/REACHに関する宣言
-
材料データシート
-
セレクションガイド
-
[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
-
セレクション手順
-
アプリケーションノート
-
[アプリケーションノート] ESD対策用チップバリスタの最適なアプリケーションについてNew
-
[アプリケーションノート] ESD/サージ保護デバイスの使い方:チップバリスタ
New -
[アプリケーションノート] D級アンプ用推奨製品(ノイズサプレッションフィルタ、LPF用インダクタ、チップバリスタ)New
-
[ソリューションガイド] ノイズサプレッションフィルタとチップバリスタによるマイクロホンラインのTDMAノイズ対策、受信感度の改善、ESD(静電気放電)対策New
おすすめコンテンツ
特性グラフ
グラフをローディング中...
この製品を見た人はこれらの製品も見ています
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G2A050C080AA
Capacitance=5pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106K160AD
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
HPL505028F060MRD3P
L=60nH
Rated current=34.0A
L x W x T :
5.0 x 5.0 x 2.8mm
インダクタ(コイル)
VLCF5020T-101MR27
L=100μH
Rated current=0.52A
L x W x T :
5 x 5 x 2mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72499H9999K199
Sample Kit
CTVS Multilayer Varistors for Surge Protection
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500E0200K060
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=56V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510G1140S862
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V