積層セラミックチップコンデンサ
CGA7K1X7R3A102K130KA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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| 推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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積層セラミックチップコンデンサ
C4520X7R3A102K130KA
Capacitance=1nF
Edc=1000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C4520X7R3D102K130KA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H220J050BA
Capacitance=22pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2X8R1H222K050BD
Capacitance=2.2nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X7S0G106M080AC
Capacitance=10μF
Edc=4V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A472J200AC
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A472J200AE
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N2C0G2A683J230AA
Capacitance=68nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA7K1X7R3D102K130KA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x2x1.3mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8L4C0G2J103J160KA
Capacitance=10nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200