積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N1C0G3F271K230KA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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| 推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M3X7S2A335M200AB
Capacitance=3.3μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N3X7S1H475K230AE
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8L2C0G1H683J160KA
Capacitance=68nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x1.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M2X7R1H335K200KA
Capacitance=3.3μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N2X7R2A684K230KA
Capacitance=0.68μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8N3X7S2A475M230KB
Capacitance=4.7μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:4.5x3.2x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N1C0G2J683G230KC
Capacitance=68nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N1X7R1V476M230KC
Capacitance=47μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N2NP02A154J230KA
Capacitance=0.15μF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:5.7x5x2.3mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N2X7R2A155M230KA
Capacitance=1.5μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200