積層セラミックチップコンデンサ
CGA9Q1C0G3A223J280KC
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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| 推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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温度特性
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| Q (Min.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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| 許容電圧 |
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| 許容電流 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
3rd Party ECAD models
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216JB2A334K130AA
Capacitance=0.33μF
Edc=100V
T.C.=JB
LxWxT:3.2x1.6x1.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3B152J200AC
Capacitance=1.5nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6J4C0G2J822G125AA
Capacitance=8.2nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A682J200AC
Capacitance=6.8nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N1C0G3B682G230AC
Capacitance=6.8nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A183J250AC
Capacitance=18nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A223G250AC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A223J250AC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M4C0G2J333J200KE
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M4NP02J333J200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
