チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

B72510G1140S862

用途
車載グレード車載グレード
用途詳細
BatteryBattery Lines
機能
≥15kV ESDESD 15kV以上
AEC-Q200AEC-Q200
150°C150°C
Openオープンモード
シリーズ
Automotive G series, open mode design
タイプ
CT0805S14BAUTOGOM_G
ステータス
量産体制量産体制
ブランド
EPCOS
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term_EP
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:mlv0031m
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:mlv0034p
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:mlv0006h

製品画像は代表的な製品を表示しています。

3Dモデル

寸法

L x W 寸法
2.0mm x 1.25mm [EIA 0805]
厚み | 高さ
1.40mm Max.
その他詳細
データシートを参照してください

電気的特性

バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA
24.5V
最大許容回路電圧 [DC]
16V
最大許容回路電圧 [AC]
14Vrms
静電容量 (Typ.)  ?
800pF
最大クランプ電圧 [8/20μs]
42V
最大サージ電流 [8/20μs]
120A
ESDクランプ電圧 [2kV]  ?
38V
ESDクランプ電圧 [8kV]  ?
43V
エネルギー耐量
300mJ

その他

使用温度範囲
-55～150°C
はんだ付け方法
ドキュメントを参照してください(ソルダリング手順書)
AEC-Q200
YES
包装形態
ドキュメントを参照してください(テーピングと梱包)

ドキュメント

技術支援ツール

特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)

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