チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520G1140S862
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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設計関連事項
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保護規格
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信頼性
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ソルダリング手順書
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テーピングと梱包
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RoHS とSVHC/REACHに関する宣言
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材料データシート
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セレクションガイド
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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SnapMagic
特性グラフ
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CGA6M1C0G3B332J200AC
Capacitance=3.3nF
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High Volt. (1000V and over)
CeraDiode®
B72590D0150H060 (LED)
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チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M2012C220KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=38V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH16A2C270KT200NA8
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=60V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM2012C720KT201M
Maximum continuous voltage [DC]=53V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=142V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E0300K062
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510G1140S862
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E1140S262
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530G1140S862
Maximum continuous voltage=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=40V
