チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0300K062 (Surge prot.)
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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設計関連事項
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保護規格
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信頼性
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ソルダリング手順書
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テーピングと梱包
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RoHS とSVHC/REACHに関する宣言
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材料データシート
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セレクションガイド
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R1H104K125AM
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Open mode
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EAC0G2A682J080AC
Capacitance=6.8nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
ESD Protection
AEC-Q200
PoleCap コンデンサ
B25671A4022A040
Output[50Hz] = 2kvar
Output[60Hz] = 2.4kvar
Rated Voltage = 1000VAC
PoleCap コンデンサ
B25671A4032A040
Output[50Hz] = 3kvar
Output[60Hz] = 3.6kvar
Rated Voltage = 1000VAC
インダクタ(コイル)
NLV32T-101J-PF
L=100μH
Q=20
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM2012C560KT251M
Maximum continuous voltage [DC]=40V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=113V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM2012C720KT201M
Maximum continuous voltage [DC]=53V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=142V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500E5170S260
Maximum continuous voltage=22V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=50V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510T0300K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510T0300K062 (Surge prot.)
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
