チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72812Q1120S160 (Automotive)
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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設計関連事項
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保護規格
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信頼性
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ソルダリング手順書
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テーピングと梱包
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RoHS とSVHC/REACHに関する宣言
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材料データシート
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セレクションガイド
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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[アプリケーションノート] ESD対策用チップバリスタの最適なアプリケーションについてNew
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608X8R1H103K080AA
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R1C155K125AB
Capacitance=1.5μF
Edc=16V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E335K160AC
Capacitance=3.3μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
CLF6045NIT-101M-D
L=100μH
Rated current=0.61A
L x W x T :
6.3 x 6 x 4.5mm
信号ライン用コモンモードチョーク/フィルタ
ACT1210D-101-2P-TL00
L=100μH
Rated current=115mA
L x W x T :
3.2mm x 2.5mm x 2.5mm
信号ライン用コモンモードチョーク/フィルタ
KCZ1210DH500HRTD25
|Z|=45Ω at 100MHz
Rated current=0.1A
L x W x T :
1.25mm x 1mm x 0.5mm
ノイズサプレッションフィルタ
MDF1005GAD102ATD25
|Z|=1000Ω at 900MHz
Rated current=550mA
L x W x T :
1.0mmx0.5mmx0.5mm
CeraDiode®
B72735D0050H062
Max. working voltage=5.6V DC
Capacitance (Typ.)=7pF
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C270KT150NA8
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH16A2C270KT200NA8
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=60V
