チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRL161D3R3FTA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608X8R1H223M080AA
Capacitance=22nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
積層型リード付きコンデンサ
FK22X7R1H335KN000
Capacitance=3.3μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8x4mm, Lead pitch:5mm
General
積層型リード付きコンデンサ
FK22X7R2A105KN000
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8x4mm, Lead pitch:5mm
General
EMI抑制コンデンサ
B32023J3154K000
0.15 µF, 300 V rms AC
10.5m(W) x 20.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32924A4185M000
1.8uF, 350Vrms AC
18m(W) x 27.5m(H) x 31.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32926A4106M003
10uF, 350Vrms AC
33m(W) x 48m(H) x 42m(L)
CeraDiode®
B72440C0050H260
Max. working voltage=5.5V DC
Capacitance (Typ.)=3pF
CeraDiode®
B72500D0050H160
Max. working voltage=5.6V DC
Capacitance (Typ.)=0.6pF
CeraDiode®
B72500D0160H060
Max. working voltage=16V DC
Capacitance (Typ.)=3pF
CeraDiode®
B72590D0050H260
Max. working voltage=5.6V DC
Capacitance (Typ.)=0.6pF