積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N1C0G3A822G230AC
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み(T) |
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端子幅(B) |
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端子間隔(G) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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推奨スリットパターン(SD) |
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電気的特性
静電容量 |
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定格電圧 |
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温度特性 |
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Q (Min.) |
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絶縁抵抗 (Min.) |
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許容電圧 |
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許容電流 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 |
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包装形態 |
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梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
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特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA5F4C0G2J102G085AA
Capacitance=1nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6J4C0G2J103G125AA
Capacitance=10nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A102G200AC
Capacitance=1nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A122G200AC
Capacitance=1.2nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A222G200AC
Capacitance=2.2nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A332G200AC
Capacitance=3.3nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A392G200AC
Capacitance=3.9nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A472G200AC
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A682G200AC
Capacitance=6.8nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B102G200AC
Capacitance=1nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)