チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT4R7YA8
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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積層セラミックチップコンデンサ
CKG32KC0G3A272J335AH
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.6x2.6x3.35mm
MEGACAP type

EMI抑制コンデンサ
B32926A4105K000
1uF, 350Vrms AC
12m(W) x 22m(H) x 42m(L)

スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32653A7333J000
0.033uF, 1250V DC
6mm(W) x 15mm(H) x 26.5mm(L)

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT1R1NE8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=190V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT1R2YE8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=187V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT4R7FA8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=190V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C220YT201MA8
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=40V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C221KT1R5YA8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=400V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C270KT150NA8
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C270KT350NA8
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V