チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM1608C720KT750M
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7S2A102K050BB
Capacitance=1nF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7S2A472K050BB
Capacitance=4.7nF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R2A472K080AA
Capacitance=4.7nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7S2A105K125AB
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R2A475K160AC
Capacitance=4.7μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

インダクタ(コイル)
SLF12575T-330M3R2-PF
L=33μH
Rated current=3.2A
L x W x T :
12.5 x 12.5 x 7.5mm

CeraDiode®
B72590D0201B060
Max. working voltage=200V DC

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT4R7YA8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=212V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C390KT500NA8
Maximum continuous voltage [DC]=28V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=72V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRL161A1R1NTA
Maximum continuous voltage [DC]=10V
Capacitance = 1.1pF