チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E1170K062
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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特性グラフ
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Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=38V
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Maximum continuous voltage=22V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=44V
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B72530E0350K062
Maximum continuous voltage=45V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=90V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E1200K062
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=54V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530G0300K062
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0040M062
Maximum continuous voltage=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=17V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0080L062
Maximum continuous voltage=11V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=30V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0350K062 (Surge prot.)
Maximum continuous voltage=45V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=90V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0600K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=85V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=165V
リード付きディスクバリスタ
B72210S2681K101
Max. Operating Voltage [AC]=680Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=3500A