チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

AVRH10C101KT4R7FA8

用途
車載グレード車載グレード
用途詳細
100BASE-T1100BASE-T1
特徴
≥15kV ESDESD 15kV以上
≥25kV ESDESD 25kV以上
AEC-Q200AEC-Q200
150°C150°C
シリーズ
AVR
ステータス
量産体制量産体制
ブランド
TDK
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term

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3Dモデル

寸法

長さ(L)
1.00mm ±0.05mm
幅(W)
0.50mm ±0.05mm
厚み | 高さ
0.50mm ±0.05mm
端子幅(B)
0.10mm Min.
推奨ランドパターン(PA)
0.40mm ±0.10mm
推奨ランドパターン(PB)
0.40mm ±0.05mm
推奨ランドパターン(PC)
0.40mm +0.10,0.00mm

電気的特性

バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA
100V
最大許容回路電圧 [DC]
70V
静電容量 (Typ.)  ?
4.7pF
最大クランプ電圧 [8/20μs]
190V
最大サージ電流 [8/20μs]
1A
ESDクランプ電圧 [2kV]  ?
80V<Vave
ESDクランプ電圧 [8kV]  ?
80V<Vave
エネルギー耐量
30mJ

その他

使用温度範囲
-55～150°C
はんだ付け方法
リフロー
AEC-Q200 (Environment)
YES
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a)
Pass on level I/II (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b)
Pass on level I/II (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a)
Pass on level I/II (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b)
Pass on level I/II (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 ESD
6[ ≥25000V(AD)]
包装形態
紙テーピング(180mm リール)
梱包数
10000pcs
重量
0.0013g

ドキュメント

技術支援ツール

特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)

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