チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270MTAAB
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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B32652A6224K000
0.22uF, 630V DC
9mm(W) x 17.5mm(H) x 18mm(L)
インダクタ(コイル)
MLF1608A3R9KTD25
L=3.9μH
Rated current=30mA
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm
インダクタ(コイル)
NLV25T-R27J-PFD
L=0.27μH
Q=30
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
チップビーズ
MMZ1608S181ATD25
|Z|=180Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C080MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=34V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KTACB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=54V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270MTABB
Maximum continuous voltage [DC]=17V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V