チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C080MTAAB
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012JB1E106K125AB
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=JB
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
C3216JB1E475K115AB
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=JB
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
General

ノイズサプレッションフィルタ
VAF201610FA-281-1
|Z|=280Ω at 100MHz
Rated current=2.69A
L x W x T :
2.0mmx1.6mmx1.0mm

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTABB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C120MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C120MT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C120MT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C180MT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=11V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=30V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=37V