チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270MTABB
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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積層セラミックチップコンデンサ
C0402X7R1A101K020BC
Capacitance=100pF
Edc=10V
T.C.=X7R
LxWxT:0.4x0.2x0.2mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
C0402X7R1A102M020BC
Capacitance=1nF
Edc=10V
T.C.=X7R
LxWxT:0.4x0.2x0.2mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
C0402X7R1A471K020BC
Capacitance=470pF
Edc=10V
T.C.=X7R
LxWxT:0.4x0.2x0.2mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
C0603C0G1E040C030BA
Capacitance=4pF
Edc=25V
T.C.=C0G
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
C0603C0G1E680J030BA
Capacitance=68pF
Edc=25V
T.C.=C0G
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General

インダクタ(コイル)
MLG0603S3N0ST000
L=3nH
Q=4
L x W x T :
0.6 x 0.3 x 0.3mm

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C120MT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=34V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V