チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM1608C270KT221M
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7R2A105M200AA
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H102M080AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=37V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=34V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KTACB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=54V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=17V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270MTABB
Maximum continuous voltage [DC]=17V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608G270KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V